_ Samsung va scoate primele dispozitive HBM4 mai târziu în acest an, eșantionarea începe în 2025: raport

16:01 2024-08-23 it - citeste alte articole pe aceeasi tema
Comentarii Adauga Comentariu

Samsung este pregătit să înregistreze primul său Dispozitive de memorie HBM4 la sfârșitul acestui an, cu eșantionarea programată să înceapă la începutul lui 2025, raportează nN Elec citând surse din industrie.Compania este proiectată să folosească procesul de fabricare a DRAM de 10 nm de ultimă generație pentru a face dispozitive DRAM HBM4, precum și tehnologia sa logică de 4 nm pentru a produce matrițe de bază HBM4, se arată în raport.

După ce Samsung înregistrează primele dispozitive de memorie HBM4 și matrițele de bază, fabricile sale de memorie și logică vor trebui să le producă și să le asamblate, ceea ce va dura câteva luni sau mai mult.După aceea, Samsung va testa aceste stive HBM4 intern și apoi va începe să le probeze cu clienții săi principali, ceea ce în cazul lui HBM4 înseamnă producători de top de procesoare AI și HPC.Samsung a refuzat să comenteze cronologia HBM4.Samsung ar putea începe producția în masă a HBM4 până la sfârșitul anului 2025, deși rămâne de văzut când vor apărea produsele reale care utilizează tehnologia.

Compania este pregătită să folosească procesul de fabricare a DRAM de 10 nm de ultimă generație 10c nm, 12nm pentru a realiza straturi de memorie HBM4, precum și nodul său de producție logic de clasă 4 nm pentru a face matrițe de bază HBM4 cu o interfață pe 2048 de biți, susține raportul.Matrițele de bază realizate pe o tehnologie de producție atât de bună pot fi instalate direct pe procesoare folosind propriul SAINT-D sau tehnici similare.

Următorul standard HBM4 va defini straturi de 24 Gb și 32 Gb, precum și stive TSV de 4, 8, 12 și 16 înalte.Este greu de prezis configurația modulelor HBM4 inițiale ale Samsung, deși raportul spune că compania va produce în masă stive de 12 HBM4 în a doua jumătate a anului viitor.Seturile de viteză ale acestor module vor depinde de mai mulți factori, deși compartimentele de viteză stabilite preliminar ale JEDEC ajung până la 6,4 GT/s.

Rivalul principal al Samsung SK Hynix este, de asemenea, setat să producă în serie HBM4 în a doua jumătate a anului, se arată în raport, deși nu dezvăluie când urmează să înceapă eșantionarea HBM4 de la SK Hynix.În timp ce SK Hynix a înclinat inițial spre utilizarea tehnologiei 1b DRAM pentru straturile de memorie HBM4, decizia Samsung de a opta pentru producția 1c a determinat o reconsiderare, potrivit The Elec.

SK hynix va colabora cu TSMC pentru build-base dies pentru modulele sale de memorie HBM4.La Simpozionul European de Tehnologie 2024, TSMC a dezvăluit planurile de a produce aceste matrițe de bază folosind tehnologiile sale avansate de proces 12FFC+ clasa 12nm și N5 clasa 5nm.Tehnologia logică N5 a TSMC va permite o integrare logică mai densă și pasuri de interconectare mai fine pentru a plasa memorie direct pe procesoare și GPU.Spre deosebire de aceasta, matrițele de bază realizate cu procesul TSMC 12FFC+ vor permite matrițe de bază rentabile care utilizează interpozitoare de siliciu pentru a conecta memoria la procesoarele gazdă.

_ Samsung va scoate primele dispozitive HBM4 mai târziu în acest an, eșantionarea începe în 2025: raport

(Fluierul)